改善SiC MOSFET電壓漂移 調整閘極驅動負電壓是訣竅

2019 年 10 月 21 日
能隙半導體SiC材料會引起臨界值電壓變化和漂移現象。透過調整閘極驅動負電壓,可以限制SiC MOSFET臨界值漂移。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

密鑰管理把關安全通訊協定 SRTP封包架構提升加密套件互通性

2007 年 06 月 29 日

打造高取樣率OCT系統 PXI示波器扮要角

2009 年 05 月 19 日

固態照明發展如火如荼 能源之星量測標準嚴把關

2010 年 08 月 23 日

PPTC元件助力 LPS鋰電池設計達陣

2015 年 04 月 23 日

自動量測精準分析先進製程參數 TEM量測助2nm製程不卡關

2023 年 04 月 20 日

超導數位技術變革AI/ML發展 實現運算設備用電永續(3)

2024 年 10 月 04 日
前一篇
專訪達爾全球離散元件產品副總裁唐逸鵬 功率離散元件尤重基本功
下一篇
Level 3瓶頸難突破 Level 4成自駕發展新選項